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掺杂剂碰击晶圆后,批民会嵌入晶体资料的不同深度和准确方位,然后改动资料的首要载流子浓度为p型(空穴)或n型(电子)。CVD一般用于在沟槽墙面和底部供给高度一致的薄膜涂层,进党积电积电尤其是在这些特征尺度不断缩小时。
掺杂剂在强电场中被加快到从亚keV到多个meV的能量规模,让台并炮击晶圆外表,未被掩膜或蚀刻工艺露出的区域。经过将少数光刻胶倒在晶圆中心,变美一起让晶圆高速旋转,资料会均匀地掩盖整个外表,构成一层薄而均匀的涂层。干法蚀刻或许是各向异性的(方向依靠性),痛批经过运用化学反响性气体或氩原子的物理炮击,有用地蚀刻方针外表或层。
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离子注入用于掺杂本征半导体的资料一般是硅的离子化原子或分子,批民硅具有4价电子,而掺杂资料一般具有3或5价电子,如硼或磷。
电化学堆积(ECD)用于堆积薄金属层,进党积电积电这些金属层将构成集成电路中衔接各种器材的互连(集成导线)。开车转向时撞倒了骑电动车的李阿姨,让台十分钟后,查勘员小吴是怎么处理的呢?小金在晚上十点发生了撞车事端。
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